Substrat Aluminium Nitrida

Mullitesubstrat(3 a1203. 2Si02): adalah salah satu fasa kristal yang paling stabil dalam sistem binari A1203-Si02, walaupun kekuatan mekanikal dan kekonduksian terma adalah rendah berbanding dengan A1203, tetapi pemalar dielektriknya Rendah, jadi ia dijangka meningkatkan lagi isyarat kelajuan penghantaran. Pekali pengembangan haba juga rendah, yang boleh mengurangkan tegasan haba LSI, dan perbezaan dalam pekali pengembangan haba bahan konduktor Mo, W adalah kecil, dengan itu mempunyai tegasan rendah antara konduktor semasa berbasikal.

aluminiumsubstrat nitrida:
a. Bahan mentah: AIN ialah kehadiran bukan semula jadi tetapi mineral buatan pada tahun 1862, pertama kali disintesis oleh Genther et al. Perwakilan perwakilan serbuk Aln adalah untuk mengurangkan kaedah nitrida dan kaedah nitridasi langsung. Yang pertama bertindak balas dengan pengurangan karbon ketulenan tinggi dalam A1203, dan kemudian bertindak balas dengan nitrogen, dan yang kedua secara langsung Nitriding. ;

b. Kaedah pembuatan: A1203substratpembuatan boleh digunakan dalam pembuatan substrat AIN, di mana penggunaan maksimum kaedah salutan organik, iaitu, serbuk bahan mentah AIN, pelekat organik, dan pelarut, surfaktan campuran buburan Seramik, lulus, lamina, penekan panas, nyahgris, terbakar

C. Ciri-ciri substrat AIN: AIN adalah lebih daripada 10 kali ganda, dan CTE sepadan dengan wafer silikon. Bahan AIN secara relatifnya berkaitan dengan A1203, rintangan penebat, penebat, dan pemalar dielektrik adalah lebih rendah. Ciri-ciri ini sangat jarang berlaku untuk aplikasi substrat pembungkusan;

d. Aplikasi: Digunakan untuk Modul Penguat Kuasa Tali Pinggang Frekuensi VHF (Frekuensi Ultra Tinggi), Peranti Kuasa Tinggi dan Substrat Diod Laser.